Nguyên lý phún xạ Magnetron cho mục tiêu phún xạ

Nhiều người dùng chắc hẳn đã nghe nói về sản phẩm phún xạ mục tiêu, nhưng nguyên lý phún xạ mục tiêu chắc hẳn còn khá xa lạ.Bây giờ, biên tập viên củaChất liệu đặc biệt phong phú (RSM) chia sẻ nguyên lý phún xạ magnetron của mục tiêu phún xạ.

Một từ trường trực giao và điện trường được thêm vào giữa điện cực mục tiêu phún xạ (cực âm) và cực dương, khí trơ cần thiết (nói chung là khí Ar) được đưa vào buồng chân không cao, nam châm vĩnh cửu tạo thành từ trường 250 ~ 350 Gauss trên bề mặt của dữ liệu mục tiêu và trường điện từ trực giao được hình thành với điện trường cao áp.

Dưới tác dụng của điện trường, khí Ar bị ion hóa thành các ion dương và electron.Một điện áp cao âm nhất định được thêm vào mục tiêu.Tác dụng của từ trường lên các electron phát ra từ cực bia và khả năng ion hóa của khí làm việc tăng lên, tạo thành plasma mật độ cao gần cực âm.Dưới tác dụng của lực Lorentz, các ion Ar tăng tốc tới bề mặt mục tiêu và bắn phá bề mặt mục tiêu với tốc độ rất cao, Các nguyên tử phún xạ trên mục tiêu tuân theo nguyên lý chuyển đổi động lượng và bay ra khỏi bề mặt mục tiêu đến bề mặt mục tiêu có động năng cao để ký gửi phim.

Phún xạ Magnetron thường được chia thành hai loại: phún xạ nhánh và phún xạ RF.Nguyên lý hoạt động của thiết bị phún xạ nhánh rất đơn giản, tốc độ phún xạ kim loại cũng nhanh.Phương pháp phún xạ RF được sử dụng rộng rãi.Ngoài việc phún xạ các vật liệu dẫn điện, nó còn có thể phún xạ các vật liệu không dẫn điện.Đồng thời, nó cũng tiến hành phún xạ phản ứng để chuẩn bị vật liệu oxit, nitrua, cacbua và các hợp chất khác.Nếu tần số RF tăng lên, nó sẽ trở thành hiện tượng phún xạ plasma vi sóng.Hiện nay, phương pháp phún xạ plasma vi sóng cộng hưởng cyclotron điện tử (ECR) thường được sử dụng.