Lớp phủ phún xạ Magnetron là một phương pháp phủ hơi vật lý mới, so với phương pháp phủ bay hơi trước đó thì ưu điểm của nó về nhiều mặt là khá vượt trội.Là một công nghệ trưởng thành, phún xạ magnetron đã được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực.
Nguyên lý phún xạ Magnetron:
Một từ trường trực giao và điện trường được thêm vào giữa cực mục tiêu phún xạ (cực âm) và cực dương, đồng thời khí trơ cần thiết (thường là khí Ar) được lấp đầy trong buồng chân không cao.Nam châm vĩnh cửu tạo thành từ trường 250-350 gaus trên bề mặt vật liệu mục tiêu và trường điện từ trực giao được tạo thành từ điện trường cao áp.Dưới tác dụng của điện trường, khí Ar bị ion hóa thành các ion dương và electron, mục tiêu và có áp suất âm nhất định, từ mục tiêu ra khỏi cực do tác dụng của từ trường và xác suất ion hóa khí làm việc tăng lên, tạo thành plasma mật độ cao gần cực âm, ion Ar dưới tác dụng của lực lorentz, tăng tốc bay đến bề mặt mục tiêu, bắn phá bề mặt mục tiêu với tốc độ cao, Các nguyên tử phun ra trên mục tiêu tuân theo nguyên lý biến đổi động lượng và bay ra khỏi bề mặt mục tiêu với động năng cao năng lượng cho màng lắng đọng cơ chất.
Phún xạ Magnetron thường được chia thành hai loại: phún xạ DC và phún xạ RF.Nguyên lý của thiết bị phún xạ DC rất đơn giản và tốc độ phún xạ kim loại nhanh.Việc sử dụng phún xạ RF được mở rộng hơn, ngoài việc phún xạ các vật liệu dẫn điện, còn phún xạ các vật liệu không dẫn điện, mà còn chuẩn bị phún xạ phản ứng của oxit, nitrua và cacbua và các vật liệu hợp chất khác.Nếu tần số RF tăng lên, nó sẽ trở thành hiện tượng phún xạ plasma vi sóng.Hiện nay, phương pháp phún xạ plasma vi sóng cộng hưởng cyclotron điện tử (ECR) thường được sử dụng.
Vật liệu mục tiêu phủ phún xạ Magnetron:
Vật liệu mục tiêu phún xạ kim loại, vật liệu mục tiêu phún xạ hợp kim phủ, vật liệu phủ phún xạ gốm, vật liệu mục tiêu phún xạ gốm boride, vật liệu mục tiêu phún xạ gốm cacbua, vật liệu mục tiêu phún xạ gốm florua, vật liệu mục tiêu phún xạ gốm nitrit, mục tiêu gốm oxit, vật liệu mục tiêu phún xạ gốm selenide, vật liệu làm mục tiêu phún xạ gốm silicide, vật liệu làm mục tiêu phún xạ gốm sulfua, mục tiêu phún xạ gốm Telluride, mục tiêu gốm khác, mục tiêu gốm oxit silic pha tạp crom (CR-SiO), mục tiêu photphua indium (InP), mục tiêu arsenide chì (PbAs), indium arsenide mục tiêu (InA).
Thời gian đăng: 03-08-2022